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簡要描述:高壓探針臺通過TS2000-DP,MPI提供了一個多功能且經(jīng)濟高效的探針臺,半自動|MPI 8英寸高壓探針臺適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測量,測量能力高達3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。
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Product Category詳細介紹
半自動|MPI 8英寸高壓探針臺簡介:
探針卡和微型定位器 TS2000-DP可提供高達12倍的高壓(高達3 kV三軸或10 kV同軸)或4倍的多手指高電流,高達400 A MicroPositioners。許多單探頭,專用于防電弧高功率探頭卡的探頭卡座使該系統(tǒng)成為高功率設(shè)備特性測量的理想選擇。 防電弧技術(shù) 該系統(tǒng)配有ArcShield™,可防止卡盤和探針壓板之間發(fā)生任何可能的電弧。 防電弧探針卡具有在DUT周圍施加高壓的能力,并且可以使用帕申定律來防止焊盤之間產(chǎn)生電弧。專門設(shè)計的防電弧LiquidTray™只需將其放在高功率卡盤表面即可用于抑制電弧。晶圓可以安全地放置在托盤內(nèi),以浸沒在液體中進行無電弧高壓測試。MPI卡盤設(shè)計用于300°C時高達10 kV(同軸)。 儀器集成TS2000-DP可以配置各種儀器連接套件,其中包括必要的高壓/大電流探頭和電纜附件,以優(yōu)化連接至測試儀器,例如Keysight B15005(3 kV或10 kV),包括集成的模塊選擇器或吉時利2600-PCT-XB,包括集成的8020大功率接口面板。 |
設(shè)備簡介: 通過TS2000-DP,MPI提供了一個多功能且經(jīng)濟高效的探針臺,適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測量,測量能力高達3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。 |
機臺特征:
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